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OBIRCH 原理: 用激光束在器件表面扫描,激光束的部分能量转化为热量。如果互连线中存在缺陷或者空洞,这些区 域附近的热量传导不同于其他的完整区域,将引起局部温度变化,从而引起电阻值改变ΔR,如果对互连线施加恒定电 压,则表现为电流变化ΔI= (ΔR/V)I2, 通过此关系,将热引起的电阻变化和电流变化联系起来。将电流变化的大小与所成 像的像素亮度对应,像素的位置和电流发生变化时激光扫描到的位置相对应。这样就可以产生OBIRCH像来定位缺陷.

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OBIRCH 应用

OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析,线路漏

电路径分析.利用OBIRCH方法,可以有效地对电路中缺

陷定位,如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高

阻区等;也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的

有力补充。

(请参阅LC,EMMI 相关内容)

    LC / EMMI / OBIRCH 对比
    灵敏度 背面观察 现象
  LC 毫安级别 No No Hot Spots
  EMMI 微安级别 No Light Emission
  OBIRCH 微安级别 Yes Thermo-electric Property
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